高纯氧化铥技术指标：

5N氧化铥基准物质技术指标（杂质含量可根据客户要求定制）：

Tm2O3/REO	≥99.999%	总稀土杂质	≤10 μg/g
Fe	≤ 0.5 μg/g	Co	≤0.1 μg/g
Si	≤2.5 μg/g	Cr	≤0.1 μg/g
Ca	≤3.0 μg/g	V	≤0.1 μg/g
Mg	≤0.2 μg/g	Zn	≤0.1 μg/g
Cu	≤0.1 μg/g	Mn	≤0.1 μg/g

 

6N超高纯氧化铥技术指标（杂质含量可根据客户要求定制）：

Tm2O3/REO	≥99.9999%	总稀土杂质	≤1.0 μg/g
Fe	≤0.01 μg/g	Co	≤0.001 μg/g
Ni	≤0.01 μg/g	Cr	≤0.01 μg/g
Ca	≤0.05 μg/g	V	≤0.01 μg/g
Mg	≤0.01 μg/g	Zn	≤0.01 μg/g
Cu	≤0.01 μg/g	Mn	≤0.01 μg/g

 

超细氧化铥粉末（杂质含量、形貌、粒径分布可按客户要求定制）

Tm2O3/REO	≥99.9%	总稀土杂质	≤0.1%
D50	≤500nm	灼减	≤0.1%
Fe	≤ 0.5 μg/g	Co	≤0.1 μg/g
Si	≤3.5 μg/g	Cr	≤0.1 μg/g
Ca	≤4.5 μg/g	V	≤0.1 μg/g
Mg	≤0.2 μg/g	Zn	≤0.1 μg/g
Cu	≤0.2 μg/g	Mn	≤0.1 μg/g

 

氧化铥的生产方法主要是草酸沉淀法，即以氯化铥或硝酸铥溶液为原料，用草酸调节Ph值为2，加氨水沉淀出草酸铥，经加热熟化，分离、洗涤，在110℃下烘干，再于900～1000℃灼烧成氧化铥。反应方程式为：

Tm2(C2O4)3 → Tm2O3 + 3CO2 + 3CO

主要用作荧光粉材料活化剂，特别是X射线荧光屏。也是金属铽的原料。氧化铥也可用作反应堆中作为辐射源轰击的便携式X射线设备。

氧化铥是一种属于立方晶系的c型倍半氧化物，因其具有光学透过性较高的特点，可将其制备成透明单晶或多晶材料。高纯氧化铥是制备掺铥钇铝石榴石晶体（Tm:YAG晶体）的生长添加剂。氧化铥是硅基光纤放大器的重要掺杂剂，并且在陶瓷、玻璃、磷光体和激光器中也有专门用途。因为基于铥的激光的波长对于组织的表面消融非常有效，并且在空气或水中的凝固深度最小。这使得铥激光器对于激光手术具有吸引力。