金属钪靶是通过物理气相沉积（PVD）制备金属钪薄膜的关键材料。金属钪靶组件是由钪靶坯和背板焊接组成。钪靶坯是高速离子束轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分，在溅射镀膜过程中，钪靶坯被离子撞击后，其表面的钪原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜。 由于高纯金属钪较软，溅射靶材需要安装在专用的机台内完成溅射过程，机台内部为高电压、高真空环境。因此，钪靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺进行接合（绑定bonding），背板主要起到固定溅射靶材的作用，且需要具备良好的导电、导热性能，一般为铜材质。常用的绑定方式有电子束焊接、扩散焊接、铟钎焊接、胶粘四种，其中以铟钎焊接绑定使用范围最广。

 

金属钪薄膜可用于制备铝钪氮AlScN压电薄膜，铝钪氮是目前极具前景的半导体材料。 AlScN压电薄膜材料具有声速高，热稳定性好、带隙宽、尤其是与CMOS工艺兼容等显著优点，同时可以克服氮化铝(AlN)压电薄膜存在的压电系数小、机电耦合系数低等不足，在体声波(BAW)、声表面波(SAW)、能量收集、超声探测以及场效应晶体管中具有重要应用。通过将高含量的钪元素掺入氮化铝，射频器件的压电性能和机电耦合系数能取得显著提升。AlScN可取代5G射频前端BAW（FBAR）/SAW滤波器中的氮化铝材料，并在新一代功率器件领域极具应用前景。

在半导体芯片镀膜中，对金属钪靶坯的纯度和微观结构都有严格要求，若杂质含量过高，形成的薄膜就无法达到使用所要求的电性能，并且在溅射过程中易在晶圆上形成微粒，导致电路短路或损坏，将严重影响薄膜的性能。我院生产的金属钪靶采用高纯金属钪原料Sc/TREM＞99.99%，轧制后晶粒尺寸小于500μm，致密度＞99.5%，已供货多家世界知名半导体企业。